多物理场表征实验室
微纳器件实验室
● 紫外光刻设备（UV Lithography）
型号：ATS-07-UV litho-GB
测试内容：适用于微纳结构曝光（如微流道芯片、二维材料电极搭建）、太赫兹 / 毫米波器件制备、光学掩模板制作等
关键参数：
1.光刻精度与分辨率
最小线宽：0.8 μm（50X 光刻镜头），1.2 μm（20X 光刻镜头）（基于空间光调制器技术，分辨率可达亚微米级）。DMD 分辨率：1920 × 1080 像素，单像素尺寸 7.6 μm
2.运动与拼接性能
拼接台行程：125 mm（无回程差，支持大面积图形拼接，最大直写面积 125 mm × 125 mm）。套刻精度：单画幅套刻精度 ≤ 350 nm（指引光），全画幅套刻精度 ≤ 500 nm（全局畸变矫正算法，确保多区域拼接精度）。
● 真空镀膜设备（Vacuum Coating Equipment）
型号：DTT
测试内容：微纳加工（MEMS、半导体芯片镀膜）、光学元件（增透膜、反射膜）制备。
关键参数：膜厚精度 ±1%，均匀性≤2%（直径≤100 mm 基片），支持多层膜堆叠，实验室小批量研发。
● 电子束电阻蒸发系统
型号: ei-5z
测试内容：
用于在半导体或特种材料基板，指定材料基板上进行金属，氧化物，合金，化合物等材料进行高精度蒸发镀膜
● 引线键合机（Wire Bonding Machine）
型号：WEST・BOND 7476D
测试内容：半导体封装（芯片 - 基板引线连接）、MEMS 器件互联、光电器件键合（如 LED、激光二极管）。
关键参数：微纳级键合（±5 μm），适合高密度引脚（QFN、BGA），美国制造，工业级稳定性。
● 光学显微镜（Microscope LED Illumination Accessory）
型号：OLYMPUS BX3M-LEDT
测试内容：微纳结构观测
关键参数：高均匀照明（±10% 亮度偏差），无热漂移（LED 低发热），支持明场 / 暗场，日本光学设计，中国制造。
● 转移平台（Precision Positioning Stage）
型号：LX120-L（3846C）
测试内容：转移二维材料，高精度对准
关键参数：手动调节 ±2 μm（重复定位），机械刚性强，实验室高精度操作
● 荧光寿命成像系统（fluorescence lifetime imaging）型号：PicoQuant-MT200
测试内容：荧光寿命曲线采集和分析、单分子探测、单分子荧光共振能量转移、脉冲交替激发、荧光寿命成像FLIM、磷光寿命成像PLIM、基于荧光寿命成像的荧光共振能量转移FLIM-FRET、荧光相关光谱（FCS）和荧光寿命相关光谱（FLCS）
关键参数：405、520nm ps脉冲激光器，波段范围400-1000、100ps到1 ms的检测范围
可变向量磁体系统
● 型号：attoDRY2100
● 极低温探测能力：1.8K-300K
● 可控强磁场环境：面外磁场0-9T，面内磁场0-3T，可变矢量磁场0-3T
● 测试内容： 为测试提供低温强磁的极端测试条件，通常和稳态光谱仪连用，可测试极低温，强磁场环境下的Raman，PL，SHG，RMCD光谱
稳态光谱实验室
● 型号：Witec alpha 300R光谱仪
● 广谱探测能力：可见ccd+红ccd（900-1700 nm）
● 多模态光源系统：波长可调谐CW激光+1064 nm ps脉冲激光+稳恒卤素白光光源
● 测试内容： 拉曼光谱（Raman），光致发光（PL），二次谐波（SHG），光电流（photocurrent），白光反射光谱
显微超快光谱实验室
● 超快时间分辨吸收光谱成像系统（Ultrafast time-resolved absorption spectroscopy imaging system）
型号：LC飞秒激光器、大连创锐光谱系统
广谱探测能力：紫外（400-700）、可见（500-900）、近红外（1100-1400）
测试内容： 瞬态吸收光谱、超快成像
近场光学实验室
材料生长制备实验室
● 化学气相沉积(Chemical vapor deposition, CVD)：化学气相沉积用于制备高质量薄膜与低维材料，广泛应用于半导体、光电子及纳米材料领域。将含目标元素的前驱体气体通入高温反应腔，在基底表面发生热分解或化学反应，从而沉积形成所需材料，通过对温度、压力和气氛的精确控制，能实现大面积原子级厚度材料可控制备。
● 化学气相输运(Chemical vapor transport, CVT)：化学气相输运是一种常用于高质量单晶材料生长的方法。利用运输剂在高温条件下与原料反应生成挥发性化合物，并在温度梯度驱动下迁移至低温区沉积结晶，通过调节温差和运输剂浓度可控制晶体的生长速率与形貌，得到大尺寸单晶，可通过进一步的机械剥离方法得到二维晶体。
